半導體制造材料包括硅片、光刻膠、掩模、濺射靶材料、CMP拋光材料、濕化學試劑、電子特種氣體、石英材料等。近年來，半導體晶圓制造產能不斷向中國轉移，全國各地都加大了晶圓產能規(guī)劃。我們判斷，國內半導體制造材料市場已經迎來重大機遇。

　　在半導體生產中，超純水主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設備的冷卻水、電鍍溶液的配制。集成電路產品的質量與產量密切相關。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會降低PN結的耐壓力，III族元素 (B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化。細菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會使p型硅片局部變?yōu)镹型硅片，導致器件性能下降。水中的顆粒，包括細菌，如果附著在硅片表面，會導致短路或性能惡化。可見，超純水在半導體行業(yè)的必要性。

　　傳統(tǒng)的超純水處理工藝為單級/雙級反滲透設備+混床。其缺點是需要再生，不能連續(xù)產水，不僅效率低，而且浪費資源。萊特萊德經過多年實踐，同時結合膜分離技術，采用反滲透加離子交換系統(tǒng)(或EDI)相結合的工藝來制取超純水，該工藝與傳統(tǒng)工藝相比具有運行成本低的優(yōu)點，運行可靠。

　　萊特萊德超純水設備在設計上采用成熟、可靠、自動化程度高的兩級RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝，確保處理后出水電阻率達到18 MΩ.CM以上。設備內部還安裝有反滲透預脫鹽技術，再次從根本上行保障了設備的出水水質，與此同時，EDI處理裝置廢水產出量少，不會對環(huán)境造成污染，擁有非常高的環(huán)境效益和經濟效益，發(fā)展前景廣闊。